产品详情

型号：IXGQ85N33PCD1

制造商:IXYS

产品种类:IGBT 晶体管

封装 / 箱体:TO-3P-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:330 V

栅极/发射极电压:+/- 30 V

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 150 C

封装:Tube

集电极连续电流 Ic:85 A 

长度:15.8 mm 

宽度:4.9 mm 

商标:IXYS

产品类型:IGBT Transistors 

工厂包装数量:30 

子类别:IGBTs 

单位重量:5.500 g

      严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

      晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

      晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。