制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
技术:Si
封装 / 箱体:TO-220-3 FP
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:600 V
集电极—射极饱和电压:2.5 V
栅极/发射极电压:+/- 20 V
Pd-功率耗散:80 W
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
系列:600-650V IGBTs
封装:Tube
集电极连续电流 Ic:25 A
高度:9.15 mm
长度:10.4 mm
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
集电极连续电流:14 A
栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别:IGBTs
单位重量:2.300 g
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型
场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方
面的优点。
