产品详情

制造商:ON Semiconductor

产品种类:IGBT 晶体管

技术:Si

封装 / 箱体:TO-263AB-3

安装风格:SMD/SMT

配置:Single

集电极—发射极电压 VCEO:600 V

集电极—射极饱和电压:2.3 V

栅极/发射极电压:+/- 20 V

在25 C的连续集电极电流:80 APd

-功率耗散:349 W

工作温度:- 55 C

工作温度:+ 175 C

系列:FGB40N60SM

商标:ON Semiconductor / Fairchild 

栅极—射极漏泄电流:+/- 400 nA 

产品类型:IGBT Transistors 

工厂包装数量:800 

子类别:IGBTs 

单位重量:1.312 g

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极

型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,

兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密

度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密

度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于

直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引

传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯

片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用

于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定

等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随

着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输

的器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交

通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 [1] 中文名绝

缘栅双极型晶体管外文名Insulated Gate Bipolar Transistor简    称IGBT特  

  点高耐压、导通压降低、开关速度快