制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
封装 / 箱体:TO-3P
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:1.6 V
栅极/发射极电压:+/- 20 V在25 C的连续
集电极电流:80 APd-
功率耗散:375 W
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 175 C
系列:600-650V IGBTs
集电极连续电流 Ic:60 A
商标:STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:250 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:300
子类别:IGBTs
单位重量:6.756 g
