产品详情

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

技术:Si

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:180 ARds 

On-漏源导通电阻:3.7 mOhmsV

gs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:150 nC

配置:SingleP

d-功率耗散:370 W

高度:15.65 mm 

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.4 mm 

商标:Infineon / IR

产品类型:MOSFET 

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

零件号别名:SP001570598 

单位重量:6 g

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect 

Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。

MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与

PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

   基本信息

中文名称   金属-氧化层 半导体场效晶体管

外文名称    MOSFET

     金属—氧化层—半导体电容

发明时间    1960年

发明人   D. Kahng和 Martin Atalla

发明机构   贝尔实验室（Bell Lab.）