制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 25 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
高度: 0.8 mm
长度: 3.3 mm
系列: STL20N6F7
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: STMicroelectronics
下降时间: 7.8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17.6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24.4 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 28 mg
