产品详情

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.85 V

栅极/发射极电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 140 A

Pd-功率耗散: 714 W

工作温度: - 40 C

工作温度: + 175 C

系列: HighSpeed 3

封装: Tube

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 240  

子类别: IGBTs  

商标名: TRENCHSTOP  

零件号别名: IGW100N60H3FKSA1 IGW1N6H3XK SP000913772  

单位重量: 6 g