产品详情

制造商: Micron Technology

产品种类: 动态随机存取存储器 

类型: SDRAM - DDR3L

数据总线宽度: 16 bit

组织: 128 M x 16

封装 / 箱体: FBGA-96

存储容量: 2 Gbit

电源电压-: 1.45 V

电源电压-: 1.283 V

工作温度: - 40 C

工作温度: + 95 C

系列: MT41K

封装: Tray

商标: Micron  

安装风格: SMD/SMT  

CNHTS: 8542320000  

HTS Code: 8542320036  

MXHTS: 85423201  

产品类型: DRAM  

工厂包装数量: 1368  

子类别: Memory & Data Storage

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵，左图所示是一个4×4的矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后在把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷