产品详情

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET 

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 90 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 57 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 值: 98 S  

下降时间: 6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 107 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 17 ns  

典型接通延迟时间: 11 ns